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                                        PC与ADI携手推出基于GaN FET的最高功率密度DC/DC转换器

                                        —— 可实现2MHz的开关频率
                                        作者:时间:2022-03-16来源:电子产品世界收藏

                                        EPC公司和ADI公司推出参考设计,采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型模拟LTC7890同步氮化镓降压控制器与EPC的超高效eGaN?FET相结合,可实现高达2 MHz的开关频率,从而实现高功率密度和低成本的DC/DC转换。

                                        本文引用地址:http://www.weightlox.com/article/202203/432039.htm

                                        宜普电源转换公司(EPC)近日宣布推出EPC9160,这是一款双输出同步降压转换器参考设计,开关频率为2 MHz,可将9 V~24 V的输入电压转换为3.3 V或5 V的输出电压,两个输出的连续电流可高达15 A。由于开关频率高,转换器的尺寸非常小,两个输出都只有23 mm x 22 mm和电感器的厚度只有3 mm。

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                                        这个解决方案具有高功率密度、纤薄和开关频率为2 MHz,是车用控制台应用和需要小型、纤薄方案的计算、工业、消费和电信电源系统的理想选择。eGaN?FET具备快速开关、高效率和小尺寸等优势,可以满足这些前沿应用对高功率密度的严格要求。

                                        EPC9160参考设计采用了增强型GaN FET(EPC2055)和带有GaN集成驱动器的两相模拟降压控制器(LTC7890)。

                                        ●   100 V、具有低 Iq、双路、两相的同步降压控制器(LTC7890)经过全面优化,可驱动 EPC eGaN FET,并集成了一个半桥驱动器和智能自举二极管。经过优化的死区时间或可编程死区时间接近零,开关频率最高可达3 MHz。5 uA的静态电流(VIN=48 V、VOUT=5 V、仅CH1)可实现非常低的待机功耗和卓越的轻负载效率。

                                        ●   40 V 的eGaN FET (EPC2055)在超小尺寸(2.5 mm x 1.5 mm)内实现3 mOhm的最大导通电阻、6.6 nC QG、0.7 nC QGD、1.3 nC QOSS和零反向恢复(QRR),可提供高达29 A的连续电流和161 A的峰值电流。优越的动态参数可以在2 MHz开关频率下,实现非常小的开关损耗。

                                        EPC9160的效率在5 V输出和24 V输入时超过93%。除了轻载工作模式和可调死区时间外,该板还提供欠压锁定、过流?;ず蚿ower good输出。

                                        宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow表示:"氮化镓场效应晶体管具备超低开关损耗的优势,使它能够在2 MHz以上的频率工作,并配以新型模拟控制器,让客户可实现2 MHz工作频率以上的整个生态系统。我们很高兴与ADI公司合作,将其先进控制器的优势与EPC氮化镓器件的卓越性能结合起来,为客户提供具有最高功率密度和采用少量元件的解决方案,从而提高效率、增加功率密度和降低系统成本"。

                                        ADI公司高级产品市场经理Tae Han说:"ADI公司的LTC7890设计可发挥EPC eGaN FET的优势,用于高功率密度解决方案。LTC7890实现更高的开关频率和经过优化的死区时间,与市场上现有的解决方案相比,性能更卓越且功耗更低。通过这些新型控制器,客户可以发挥氮化镓器件的极速开关优势,实现最高的功率密度。"



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